本次经验讲的是对MOSFET手工估算参数的提取，针对Id、L、IC0与电路性能参数的这种关系，这次就介绍如何根据选定的模型，通过Pspice软件仿真提取用于手工估算的MOSFET参数，这次讲的是提取Vth与Vbs的关系方法/步骤1/8分步阅读

新建工程,绘制电路图。注意直流电压源的正负,直流电流源是理想电流源所以vcc的值并无意义，宽长比根据个人需要定

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查看NMOS管的Vth0,即VBS=0时的vth

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因为MOS管的栅极漏极短接，所以MOS管一直处于饱和状态。为了使Vgs-Vth=0，即Vbs=0使Vgs=Vth0=0.4547V，需要扫描直流电流源，观察Vgs。

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新建直流仿真，进行DC sweep。扫描直流电流源

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扫描结果如图，找到Vgs=0.4547V的点。此时I1=0.39uA

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将直流电流源电流设为0.39uA。为了好看，我把图放大了一点

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进行DC sweep，扫描直流电压源V1。因为饱和时，电流Id=β(Vgs-Vth)2，所以当电流固定时，Vgs-Vth的值不变。我们之前扫描时Vgs=Vth0，所以我们的Vgs-Vth=0，即Vth=Vgs。所以扫描结果如图

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我们在实际使用时，就可以根据我们所做工程的Vbs，设置V1的电压，其相应Vgs就是我们需要的Vth。

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