有效沟道长度物理意义如下：

沟道长度调制效应是指MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使Id增大的效应。

以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可忽略，沟道电压降增大直至Vgd=VT时，由于栅漏之间电压差降低，漏端附近反型层消失，称为沟道夹断。若继续增大Vds，夹断点将向源端移动，故看起来，有效沟道长度减小，称为沟道调制效应。

对于长沟器件而言，沟道变化长度△L远小于原沟道长度，即△L可忽略，但在集成电路特征尺寸逐渐缩小的今天，沟道调制效应带来的影响愈加不可忽视。

沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。

沟道是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。